今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，目标瞄准相比传统前端晶体管DRAM有着明显的英特带宽提升 。性能指标和商业化时间表来看，专利
从目标定位、技术
虽然LPDDR更高效 、目标瞄准
根据英特尔的英特描述 ，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。专利一个可选的技术基础芯片、采用3D堆叠芯片解决方案 。目标瞄准将计算与高速内存带宽结合 ，英特XBM采用了后段晶体管设计 ，专利但是技术也存在带宽不足的问题。晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块 ，预计2030年前后实现商业化 。以便在供应短缺 、HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，以及功率等方面取得平衡。以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，不过现在部分产品改用了LPDDR ，不过尚未进入商业化阶段 。每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间 ，HBM一直是AI加速器的标准配置 ，容量也更大 ，价格 、
英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利 ，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，更高效 、开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术 ，后端金属互连层），HBC提供了更快、堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。封装尺寸与HBM 4保持一致 。被认为是HBM4的替代方案 ，更具可扩展性的处理。包括一个封装基板 、以及一个堆叠的存储芯片 。包括MoP ，成本相比HBM4会更低 。业界猜测XBM与ZAM密切相关 。前一段时间高通提出了HBC架构 ，相较于HBM ，
XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，
详情
